半导体新材料领域取得重大进展

合肥电气记者（记者李俊杰）从中国科学技术大学获悉，该校特聘教授张树臣团队与中外学者合作，在半导体新材料领域取得重大突破。研究人员首次成功地在二维软晶格离子材料中可控地构建原子级平坦且面内可编程的“马赛克”异质结，为未来高性能集成和发光器件的开发开辟了新途径。相关成果近日在线发表在国际《自然》杂志上。在半导体领域，在材料平面内横向精确构建异质结构的能力是探索新物理特性、开发新器件和促进器件小型化的关键。然而，软晶格离子半导体的晶体结构，例如作为二维卤化物钙钛矿，柔软且不稳定。传统的光刻加工和其他技术常常会引起过于剧烈的反应并破坏材料结构，从而难以实现高质量的异质横向集成。如何在此类材料上实现高质量、可控精密的横向外延异质结制造是该领域面临的难题。面对这一挑战，中国科学技术大学研究团队创新性地提出并开发了一种“自刻蚀”方法，在晶体中诱发内应力，精确地填充不同类型的半导体材料，最终在单片晶圆内构建出晶格连续、界面原子级光滑的高质量“马赛克”异质结。 《人民日报》（2026年1月24日第6页）
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